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ESD器件

ESD器件的主要應用領域

2019-03-20

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碳化矽電力電子器件的發展現狀分析

富芯微電子有限公司産品普及:SiC電力電子器件中,SiC二極管最先實現産業化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管産品,美國Cree和意法半導體等廠商也緊随其後推出了SiC二極管産品。在日本,羅姆、新日本無線及瑞薩電子等投産了SiC二極管。很多企業在開發肖特基勢壘二極管(SBD)和JBS結構二極管。目前,SiC二極管已經存在600V~1700V電壓等級和50A電流等級的産品。

2018-02-22

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碳化矽

富芯微電子有限公司産品普及:碳化矽(SIC)是半導體界公認的“一種未來的材料”,是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今後5~10年将會快速發展和有顯著成果出現。促使碳化矽發展的主要因素是矽(SI)材料的負載量已到達極限,以矽作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。

2018-02-22

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石墨烯:矽代替材料 應用前景廣闊

富芯微電子有限公司産品普及:石墨烯是一種由碳原子緊密排列而成的蜂窩狀結構的二維晶體,看上去近似一張六邊形網格構成的平面。它是目前已知最薄的一種材料,單層的石墨烯隻有一個碳原子的厚度,屬于納米材料的一種。

2018-02-22

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光耦合器

富芯微電子有限公司産品普及:光耦合器(opticalcoupler,英文縮寫為OC)亦稱光電隔離器或光電耦合器,簡稱光耦。它是以光為媒介來傳輸電信号的器件,通常把發光器(紅外線發光二極管LED)與受光器(光敏半導體管)封裝在同一管殼内。當輸入端加電信号時發光器發出光線,受光器接受光線之後就産生光電流,從輸出端流出,從而實現了"電-光-電"轉換。

2018-02-22

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氮化镓

富芯微電子有限公司産品普及:GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料,并與SIC、金剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之後的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質和強的抗輻照能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有着廣闊的前景。

2018-02-22

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第十三屆中國國際半導體照明論壇

富芯微電子有限公司産品普及:以氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料已引發全球矚目,成為全球半導體研究前沿和熱點。第三代半導體具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優越性能,是固态光源、下一代射頻和電力電子器件的“核芯”,在半導體照明、消費類電子、5G移動通信、智能電網、軌道交通、雷達探測等領域有廣闊的應用前景。預計到2020年,第三代半導體技術應用将在節能減排、信息技術、國防三大領域催生上萬億元的潛在市場。

2018-02-22

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第三代半導體電力電子器件模組、封裝和散熱技術研讨會

富芯微電子有限公司産品普及:2016年1月12日下午,第三代半導體電力電子器件模組、封裝和散熱技術研讨會在北京召開,LED業内三安光電、鴻利光電、英飛淩等企業參加了研讨會。此次研讨會對基于第三代半導體的電力電子器件模組、封裝和散熱等主要技術的發展趨勢和挑戰的展開了激烈的讨論,對行業發展具有知道性意義。

2018-02-22

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合肥已納入國家集成電路規劃布局 未來将打造“中國IC之都”

​富芯微電子有限公司産品普及:在智能手機、新型電視、虛拟現實影像、機器人等領域,“合肥造”芯片未來将有更多用武之地。昨日,合肥市“十三五”集成電路産業發展規劃評審會召開,五年内合肥市集成電路産業企業将超過150家,年産值達到500億元,成為全國最大的非數字芯片生産基地。

2018-02-22

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政策與資金齊推 集成電路股或“起飛”

富芯微電子有限公司産品普及:“2015中國集成電路産業促進大會”即将召開的消息,引發了A股市場的激烈反應。昨日,同方國芯、太極實業、上海貝嶺、長電科技、揚傑科技、晶方科技等集成電路概念股批量漲停。此外,通富微電、三安光電等股票也是大漲逾8%。其中,宣布定增募800億元投資集成電路業務的同方國芯,其股價自11月6日複牌以來已經累計上漲112.51%。有分析人士認為,“産業促進大會”僅僅是一個導火索,資金熱炒的更深層次原因或源于集成電路誘人的産業前景。

2018-02-22

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